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東京都市大学総合研究所シリコンナノ科学研究センターによる技術開発が新聞各紙に掲載されました
2010年5月24日 記者発表
東京都市大学総合研究所のシリコンナノ科学研究センター（東京都世田谷区、センター長：丸泉琢也）では、シリコン（Si）をベースとした室温発振レーザーを可能とする極めて高効率に発光する電流注入型の発光デバイスの開発に成功し、2010年5月24日（月）、マスメディアに向け発表が行なわれました。
【プレスリリース】東京都市大学 ゲルマニウム量子ドットをベースとした室温発振レーザーを可能とする極めて高効率に発光する電流注入型の発光デバイスの開発に成功
「ゲルマニウム量子ドットをベースとした室温発振レーザーを可能とする極めて高効率に発光する電流注入型の発光デバイスの開発に成功」について新聞各紙に掲載されました。
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